Titre : | Calcul numérique des sections efficaces d’ionisation de molécules d’intérêt biologique et prédiction des propriétés physiques des DMS |
Auteurs : | DEROU Naima, Auteur |
Type de document : | texte manuscrit |
Editeur : | Université de Saida Dr MOULAY Tahar-Faculté des Sciences-Département de Physique, 2023/2024 |
Format : | 67p / 30cm |
Accompagnement : | CD |
Langues: | Français |
Mots-clés: | GaSb substitué par Cr. Comportement semi-métallique. Ferromagnétisme. Spintronique Cr-substituted GaSb. Half-metallic behavior. Ferromagnetism. Spintronic. |
Résumé : |
Dans cette thèse nous vision des méthodes de calcules de la théorie fonctionnelle de
la densité DFT, utilisé pour prédire l’évolution des différents propriétés physique tel que les constantes des réseaux, les structures électroniques, les caractères semi-métalliques et les propriétés ferromagnétiques du semi-conducteur binaire GaSb, après son dopage au Cr.les calcules des propriétés est bases sur la méthode d’onde planes augmentées linéarisées à potentiel complet (FP-LAPM) ainsi que l’approximation du gradient généralisées (GGA-WC) et l’approximation TB-mBJ implémentées dans le programme de simulation WIEN2K. Ce travail consiste à évaluer l’impact des éléments ajoutés à la matrice semi- conducteur GaSb sur les propriétés des composés finaux. Aux premier temps nous sommes intéressés aux valeurs des paramètres structuraux calculés avec la proche GGA-WC, les résultats obtenus ont montrés une déviation décroissante en fonction de la composition (x)( x = 0.25, 0.5, 0.75 ) de l’élément dopé Cr, notons aussi avec l’augmentation de (x) une réduction de la constate de réseau, qui conduit à une augmentation inévitable de la valeur du module de compressibilité des matériaux Ga1-xCrxSb. Dans un deuxième temps les résultats obtenus du gap direct réalisé avec les potentiels TB-mBJ est en bon accord avec ceux réalisés par TB-mBJ et HSE06. Les propriétés magnétiques et électroniques étudié des composés Ga1-xCrxSb basés sur TB-mBJ présentent des moments magnétiques entiers de 3 μB par atome de Cr qui les rendent semi-métallique. Les composés Ga1-0.75Cr.025Sb, Ga1-0.5Cr0.5Sb, Ga1-.25Cr0.75 Sb présentent des gaps semi-métalliques de 0.583,0.429 et 0.167 eV avec les polarisations de spin 100%. Abstract In this thesis we review the calculation methods of the density functional theory DFT, used to predict the evolution of different physical properties such as lattice constants, electronic structures, semi-metallic characters and ferromagnetic properties of the binary semiconductor GaSb, after its doping with Cr. The calculations of the properties are based on the full-potential linearized augmented plane wave method (FP-LAPM) as well as the generalized gradient approximation (GGA-WC) and the TB-mBJ approximation implemented in the WIEN2K simulation program. This work consists in evaluating the impact of the elements added to the GaSb semiconductor matrix on the properties of the final compounds. At first we are interested in the values of the structural parameters calculated with the GGA- WC approach, the results obtained showed a decreasing deviation depending on the composition (x) ( x = 0.25, 0.5, 0.75 ) of the Cr doped element, let us also note with the increase of (x) a reduction of the network coefficient, which leads to an inevitable increase in the value of the bulk modulus of the materialsGa1-xCrxSb. Secondly, the results obtained from the direct gap carried out with the TB- mBJ potentials are in good agreement with those carried out by TB-mBJ and HSE06. The studied magnetic and electronic properties of Ga1-xCrxSb compounds based on TB-mBJ exhibit integer magnetic moments of 3 μB per Cr atom which make them semi metallic. The compounds Ga1-0.75Cr.025Sb, Ga1-0.5Cr0.5Sb, Ga1-.25Cr0.75 Sb exhibit semi metallic gaps of 0.583, 0.429 and 0.167 Ev with 100% spin polarizations. |
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