| Titre : | Étude par simulation de l’amélioration des performances des transistors HEMT pour des applications en haute fréquences |
| Auteurs : | KERMAS Nawel, Auteur ; DJELLOULI Bouaza, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Université de Saida - Dr. Moulay Tahar Faculté de Technologie Département d’Électrotechnique, 2017/2018 |
| Format : | 127 p |
| Accompagnement : | CD |
| Langues: | Français |
| Catégories : | |
| Mots-clés: | Transistors ; haute fréquences ; HEMT ; AlGaN/GaN |
| Résumé : |
Étude par simulation de l’amélioration des performances des transistors HEMT pour des applications en haute fréquences
Résumé: L'électronique de puissance comme moyen de contrôle de l'énergie prend une place très importante dans les technologies modernes. Les transistors HEMT AlGaN/GaN sont largement utilisés dans les applications à forte puissance avec des grandes vitesses de commutation générant de faibles pertes. La recherche de modèles du transistor HEMT engendrent des simulations en accord avec l'expérience est devenu un défi pour la recherche actuelle. Nous proposons une méthode de modélisation de transistor HEMT permettant de comprendre le fonctionnement du transistor HEMT et de déterminer les facteurs déterminant la vitesse de commutation du HEMT. Le modèle adopté sera simulé et une étude comparative détaillée avec d'autres modèles et avec les données expérimentales sera mené dans le but de valider le modèle adopté. |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| BUC-D 000500 | BUC-D 000500 | CD | Bibliothèque PMB Services | Doctorat | Consultation sur place Exclu du prêt |
Documents numériques (1)
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