| Titre : | Calculs ab-initio des semi-conducteurs AlxGa1-xN |
| Auteurs : | Kafi Asmaa, Auteur ; Driss Khodja Fatima Zohra, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Université de Saïda – Dr. Moulay Tahar Faculté de Technologie DBR Télécommunication, 2020/2021 |
| Format : | 114 p |
| Accompagnement : | CD |
| Langues: | Français |
| Catégories : | |
| Mots-clés: | Semi-conducteurs ; optoélectronique ; thermoélectricité ; GGA-PBEsol ; FP-LAPW ; TB-mBJ. |
| Résumé : |
Résumé
Nous avons effectué une étude détaillée des propriétés structurales, élastiques, électroniques, optiques et thermoélectriques des semi-conducteurs AlxGa1-xN (x = 0, 0.125, 0.25, 0.375, 0.5, 0.625, 0.75, 0.875, 1) en utilisant la méthode des ondes planes linéairement augmentées avec potentiel total (FP-LAPW), dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Les propriétés structurales et élastiques ont été calculées en utilisant l'approximation du gradient généralisé de Perdew-Burke-Ernzerhof - pour estimer l’énergie d’échange et de corrélation - pour obtenir des valeurs de la constante du réseau en bon accord avec les données expérimentales. Les paramètres élastiques calculés indiquent que les matériaux AlxGa1-xN sont mécaniquement stables. Les propriétés électroniques, calculées en utilisant le potentiel modifié de Becke-Johnson (mBJ), montrent que les matériaux AlxGa1-xN sont des semi-conducteurs à large bande interdite, variant de 2.973 eV (x = 0) à 4.939 eV (x = 1). Les propriétés optiques calculées sont la fonction diélectrique, l'indice de réfraction, la réflectivité, le coefficient d'absorption et la fonction de perte d'énergie. Compte tenu de la largeur de leur bande interdite, les matériaux AlxGa1-xN sont des candidats pour les applications optoélectroniques dans le domaine spectral UV-visible. L’étude des propriétés thermoélectriques montre que les matériaux AlxGa1-xN ont un facteur de mérite, un facteur de puissance et un coefficient de Seebeck élevés. Les valeurs élevées de la conductivité électrique et les faibles valeurs de la conductivité thermique indiquent que les matériaux AlxGa1-xN sont des candidats potentiels pour les applications thermoélectriques. |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| BUC-D 000492 | BUC-D 000492 | Livre | Bibliothèque PMB Services | Albums | Consultation sur place Exclu du prêt |
Documents numériques (1)
Calculs ab-initio des semi-conducteurs AlxGa1-xN Adobe Acrobat PDF |
